浙江光敏管光敏管

　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

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　　为什么要使用上拉电阻一般作单键触发使用时，如果IC本身没有内接电阻，为了使单键维持在不被触发的状态或是触发后回到原状态，在IC外部另接一电阻。数字电路有三种状态:高电平、低电平、和高阻状态，有些应用场合不希望出现高阻状态，可以通过上拉电阻或下拉电阻的方式使处于稳定状态，具体视设计要求而定！一般说的是I/O端口，有的可以设置，有的不可以设置，有的是内置，有的是需要外接，I/O端口的输出类似于一个三管的C，当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候，该电阻成为上拉电阻，也就是说，该端口正常时为高电平；C通过一个电阻和地连接在一起的时候，该电阻称为下拉电阻。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　如何提高开关速度上面提到开路集电电路的大缺点就是开关速度不够快，在需要开关时，达不到我们的要求，为此下面我们看看怎么来提高其开关速度。由于基限流电路的作用，导致其开关速度受限。为此给限流电阻R1并联一个小容量的电容器。这样，当输入信号上升、下降时能够使R1电阻瞬间被旁路并提供基电流，从而消除开关时间滞后。提高三管开关速度的另外一种方法是添加肖特基二管箍位。这里利用的是这种二管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用，这种二管的开关速度很快。