天津光耦价格

　　由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基电源Eb重新补给，从而形成了基电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic，这就是说，在基补充一个很小的Ib，就可以在集电上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即:β1=Ic/Ib式中:β1--称为直流放大倍数，集电电流的变化量△Ic与基电流的变化量△Ib之比为:β=△Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

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　　对于场效应管来说，在大学期间老师基本没有讲，让自己自学。到了工作的时候，我们发现场效应管应用还是比较广泛的。其实场效应管和三管还是很相似的。在很多应用中，甚至可以直接贴换三管。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7～10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、工作区域宽等优点，现已成为双型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二管。还有一种肖特基整流二管。整流二管一般应用在电源电路中，常见的有交流变直流时的电桥。电源接反时的，保护二管等等。对于这类二管，主要应用的是其单向导电性。在实际的应用中，比较常用的系列是1N系列。稳压二管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二管。此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见，稳压二管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。