安徽EVERLIGHT光敏二极管合

　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

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　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二管，应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复二管。还有一种肖特基整流二管。整流二管一般应用在电源电路中，常见的有交流变直流时的电桥。电源接反时的，保护二管等等。对于这类二管，主要应用的是其单向导电性。在实际的应用中，比较常用的系列是1N系列。稳压二管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二管。此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见，稳压二管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。

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　　频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。二、二管检测方法普通二管的检测二管的性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法。二管简易测试方法项目正向电阻反向电阻测试方法测试情况硅管:表针指示位置在中间或中间偏右一点；锗管:表针指示在右端靠近满刻度的地方表明管子正向特性是好的。