云南全波谱光敏管内部结构

　　电压有一微小的增加，反向电流亦会猛增（反向击穿曲线很徒直）这时，二管处于击穿状态，如果把击穿电流限制在一定的范围内，管子就可以长时间在反向击穿状态下稳定工作。硅稳压管伏安特性曲线?变容二管变容二管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被广泛地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中，变容二管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并提高Q值以适合应用。

　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

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　　管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下，允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时，在两间所产生的电压降。大整流电流（平均值）IOM:在半波整流连续工作的情况下，允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流

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　　电感量的基本单位是亨利（简称亨），用字母“H”表示。常用的单位还有毫亨（mH）和微亨（μH），它们之间的关系是:1H=1000mH1mH=1000μH允许偏差是指电感器上标称的电感量与实际电感的允许误差值。一般用于振荡或滤波等电路中的电感器要求精度较高，允许偏差为±0.2%~±0.5%；而用于耦合、高频阻流等线圈的精度要求不高；允许偏差为±10%~15%。品质因数也称Q值或优值，是衡量电感器质量的主要参数。