上海颜色感应管红外接收管

　　电阻的又一应用就是上下拉电阻，上拉就是将不确定的信号通过一个电阻钳位在高电平，电阻同时起限流作用。下拉同理。也是是将不确定的信号通过一个电阻钳位在低电平。上拉是对器件输入电流，下拉是输出电流；强弱只是上拉电阻的阻值不同，没有什么严格区分；对于非集电（或漏）开路输出型电路（如普通门电路）提升电流和电压的能力是有限的，上拉电阻的功能主要是为集电开路输出型电路输出电流通道。当TTL电路驱动CMOS电路时，如果电路输出的高电平低于CMOS电路的高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。

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　　如何提高开关速度上面提到开路集电电路的大缺点就是开关速度不够快，在需要开关时，达不到我们的要求，为此下面我们看看怎么来提高其开关速度。由于基限流电路的作用，导致其开关速度受限。为此给限流电阻R1并联一个小容量的电容器。这样，当输入信号上升、下降时能够使R1电阻瞬间被旁路并提供基电流，从而消除开关时间滞后。提高三管开关速度的另外一种方法是添加肖特基二管箍位。这里利用的是这种二管是采用金属与半导体接触形成具有整流作用，这种二管的开关速度很快。

　　光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。