宁夏贴片光敏二极管图片

　　在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

　　光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

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　　场效应管的开关电路应用广泛，由于其为电压控制型，而且内阻小，常常应用在各种大电流开关控制电路中。例如，热敏微型打印机电源开关、外部电源输出开关等等。简单的说，一般小电流开关电路可以适用三管，大电流开关电路使用场效应管，这里就不在列举实例了。和三管一样，其开关并不是对的，虽然说，在一定的工作电压下，场效应管就处于开关状态。但它的开关状态并不是没有内阻，其内阻的变化一般都是跟随其外部电压的大小而变化。所以，为了减小其内阻，应尽量加大其开关电压值。具体多大合适一定要查询芯片资料。

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　　通常小容量的电容器是0.01~0.1uF的陶瓷电容器（薄膜电容器为NG），大容量的电容器是1~100uF的铝电解电容。在实际应用中，小容量电容器常取104电容，大容量电容器常取10uF电容。从惯上来说，旁路电容也有大小两个电容，形成两条通路，也电路的性。电源是使电路进行工作的基础，因此，旁路电容可以认为是电路工作的“保险金”。在电路图中，一定要添加旁路电容，所以，从一个人的对旁路电容的应用，是布就可以看出，其是否是高手了。