内蒙古全波谱光敏管隔离电路

　　具体公式不用细想，我们可以从中得知负载电容的减小可以使实际频率Fx变大，我们可以改变的只有Cg和Cd，通过初步的计算发现CL改变1pF,Fx可以改变几百Hz。原有电路使用的是33pF的两个电容，则并联起来是16.5pF，我们的贴片电容只有27pF,33pF，39pF,所以我们选用了27pF和39pF并联，则电容为15.95pF。电容焊好后，测量比原来大了200多赫兹，落在了设计范围内。

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　　早期的二管包含“猫须晶体（"Cat'sWhisker"Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（ThermionicValves）”)。现今普遍的二管大多是使用半导体材料如硅或锗。外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二管的正向电压。当二管两端的正向电压超过一定数值Vth，内电场很快被削弱，电流迅速增长，二管正向导通。Vth叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

　　光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。

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　　使用电感对电源电路隔离也是比较常用的方法，在很多时候，我们需要把几个电源相互隔离以防其相互干扰，这时候常使用的器件就是电感（有时会使用0Ω电阻代替）。是一个单片机小系统的一部分原理图，在图中我们可以看到。为了把单片机的数字地和模拟地进行隔离，使用了一个10uH的电感，以这两个电源的相对独立。在单片机外围电路中，二管的应用也广泛，而且二管根据其应用不同，种类繁多，下面我们主要谈谈发光二管、续流二管、整流二管、限幅二管等。