山西光敏管继电器工作原理

　　在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

　　山西光敏管继电器工作原理

　　简单的LED应用电路，在这个电路中需要注意的是限流电阻R1的选择。如果该电路用于指示用，而且单片机的I/O端口可以输出4mA左右的电流，则可以直接通过单片机端口控制，则R1的计算公式如下:R1=（VCC-Vled）/4mA但是，如果这个电路用作照明用，显然是单片机的I/O端口是无法输出这么大电流的，这是，我们可以考虑用三级管或FET来开关控制。当然，如果作为一般指示电路使用时，如果单片机无法输出4mA的电流时，也可用于使用三管货FET来驱动LED。

　　山西光敏管继电器工作原理

　　和三管一样场效应管也可以应用在放大电路中，而且和三管是放大基本一致，其放大原理如下:和三管一样，场效应管的放大也是通过电源实现的，而不是信号自己放大。与三管对比我们发现三管是通过电流控制放大的，而场效应管则是通过电压放大的。场效应管的开关电路和三管的开关电路一样，都是可以从放大电路变化而得。这里不在说明其变化过程。同样把负载放置在Rd的位置。对于偏置电阻的确定，需要注意:其作用和三管的上下拉电阻一样，用于确定栅的电平状态，取值一般没有要求，大都取1M。

　　光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱（一般小于0.1微安），叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十到上百微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流变化，这就可以把光信号转换成电信号，成为光电传感器件。