湖南插件光敏二极管和光敏电阻的区别

　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

　　湖南插件光敏二极管和光敏电阻的区别

　　合金扩散型二管它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二管。用外延面长的过程制造PN结而形成的二管。制造时需要的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二管。基本原理是:在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度快:反向恢复时间trr地短。因此，能制作开关二和低压大电流整流二管。

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　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　两种类型的晶体管实际上三管的NPN和PNP都是由两PN结构成。所以，我们可以认为，三管的基和发射机间与基和集电之间连接2个二管。在一般的放大电路中，使基和发射之间的二管导通，使基和集电之间的二管截止来设置三管各端电位。三管可以工作在三种状态:截止、放大、饱和。在模拟电路中，一般比较常用的是放大状态，而在单片机外围电路中，我们比较常用的还是其开关状态，即工作在截止和饱和状态。实际上三管的开关电路可以从放大电路逐步演变而来。左边是正常的放大电路，右边是我们需要的开关电路。从这两个波形不难看出，其状态很像，只是一个是正弦波，一个是方波。如果我们把放大倍数调大，或者把输入信号增大，那么会导致什么现象呢？这一点不难想象，输入输出信号的增大，放大波形的上下均会被切掉。切掉后的正弦波是不是很像我们的方波呢？由此可以看出，我们只需要修改这个放大电路，让其进入两个端就可以得到开关电路了。