重庆贴片光敏二极管作用及工作原理

　　表示允许误差的文字符号文字符号DFGJKM允许偏差±0.5%±1%±2%±5%±10%±20%数码法:在电阻器上用三位数码表示标称值的标志方法。数码从左到右，、二位为有效值，第三位为指数，即零的个数，单位为欧。偏差通常采用文字符号表示。标法:用不同颜的带或点在电阻器表面标出标称阻值和允许偏差。国外电阻大部分采用标法。黑-0、棕-1、红-2、橙-3、黄-4、绿-5、蓝-6、紫-7、灰-8、白-9、金-±5%、银-±10%、无-±20%

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　　半导体二管主要是依靠PN结而工作的。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二管的范围内。包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二管分类如下:点接触型二管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。

　　光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。

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　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。