山西光敏管内部结构

　　通常小容量的电容器是0.01~0.1uF的陶瓷电容器（薄膜电容器为NG），大容量的电容器是1~100uF的铝电解电容。在实际应用中，小容量电容器常取104电容，大容量电容器常取10uF电容。从惯上来说，旁路电容也有大小两个电容，形成两条通路，也电路的性。电源是使电路进行工作的基础，因此，旁路电容可以认为是电路工作的“保险金”。在电路图中，一定要添加旁路电容，所以，从一个人的对旁路电容的应用，是布就可以看出，其是否是高手了。

　　山西光敏管内部结构

　　滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器；调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器；高频耦合:陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器；低耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器；小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。

　　山西光敏管内部结构

　　光电二极管与其他类型的光探测器一样，在诸如光敏电阻、感光耦合元件以及光电倍增管等设备中有着广泛应用。它们能够根据所受光的照度来输出相应的模拟电信号（例如测量仪器）或者在数字电路的不同状态间切换（例如控制开关、数字信号处理）。

　　由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基电源Eb重新补给，从而形成了基电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic，这就是说，在基补充一个很小的Ib，就可以在集电上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即:β1=Ic/Ib式中:β1--称为直流放大倍数，集电电流的变化量△Ic与基电流的变化量△Ib之比为:β=△Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。