山西光耦二极管和红外接收管区别

　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电电源Ec要高于基电源Ebo。在制造三管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射电流了。

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　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　二管（英语:Diode），电子元件当中，一种具有两个电的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二管普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二管可以想成电子版的逆止阀。然而实际上二管并不会表现出如此的开与关的方向性，而是较为复杂的非线性电子特征——这是由特定类型的二管技术决定的。二管使用上除了用做开关的方式之外还有很多其他的功能。

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　　外加反向电压不超过一定范围时，通过二管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反响饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数截流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。二管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二管（Ge管）和硅二管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二管、整流二管、稳压二管、开关二管、隔离二管、肖特基二管、发光二管、硅功率开关二管、旋转二管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二管、面接触型二管及平面型二管。点接触型二管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。平面型二管是一种特制的硅二管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定，多用于开关、脉冲及高频电路中。