江苏全波谱光敏管二极管和红外接收管区别

　　管基础知识1.二管的主要参数正向电流IF:在额定功率下，允许通过二管的电流值。正向电压降VF:二管通过额定正向电流时，在两间所产生的电压降。大整流电流（平均值）IOM:在半波整流连续工作的情况下，允许的大半波电流的平均值。反向击穿电压VB:二管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。正向反向峰值电压VRM:二管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。反向电流IR:在规定的反向电压条件下流过二管的反向电流值。结电容C:电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。高工作频率FM:二管具有单向导电性的高交流

　　江苏全波谱光敏管二极管和红外接收管区别

　　结型光电二极管一般不用来测量很低的光强。如果弱光情况下需要高灵敏度探测器，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。

　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

　　江苏全波谱光敏管二极管和红外接收管区别

　　当线圈中有电流通过时，线圈的周围就会产生磁场。当线圈中电流发生变化时，其周围的磁场也产生相应的变化，此变化的磁场可使线圈自身产生感应电动势（感生电动势）（电动势用以表示有源元件理想电源的端电压），这就是自感。两个电感线圈相互靠近时，一个电感线圈的磁场变化将影响另一个电感线圈，这种影响就是互感。互感的大小取决于电感线圈的自感与两个电感线圈耦合的程度，利用此原理制成的元件叫做互感器。电感单位:亨（H）、毫亨（mH）、微亨（μH），换算关系为1H=10^3mH=10^6μH=10^9nH。换算:数值X10的n次方如103即为10X10的三次方nh为10uh除此外还有一般电感和精密电感之分一般电感:误差值为20%，用M表示；误差值为10%，用K表示。精密电感:误差值为5%，用J表示；误差值为1%，用F表示。如:100M，即为10μH，误差20%。