江西光耦光敏管和光敏电阻的区别

　　究竟指的是什么？在看一些元器件的DATASHEET文件时，经常会碰到元器件的参数，IOL,IOH,IIL,IIH,我也知道他们指的是输入输出高低电平时的大小电流，但在连接时他们之间的匹配问题一直很模糊，如:IOL=1.5MA;IOH=-300UA你所说的个器件表示在输出低电平的时候可以吸收（流入）1.5mA电流，输出为高电平的时候，可以输出300uA电流。第二个器件表示在输入低的时候会流出100uA电流，输入高的时候将吸收10uA电流。|IOL|>|IIL|，|IOH|>|IIH|，就表示输出器件可以带动输入器件。

　　江西光耦光敏管和光敏电阻的区别

　　由于耦合电容和负载R1直接形成了高通滤波器，会因为输出端接不同输出电路的输入阻抗，电容应该进行相应的变化。为此，预先考虑接什么样的负载是的。用于振荡回路中，与电感或电阻配合，决定振荡频率（时间）的电容称之为振荡电容。查了数据手册得知实际频率和标称频率之间的关系:Fx=F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2);而CL=Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs为杂散电容，Cg和Cd为我们外部加的两个电容，通常大家取值相等，它们对串联起来加上杂散电容即为晶振的负载电容CL.

　　江西光耦光敏管和光敏电阻的区别

　　它们在反向电压作用下参加漂移运动，使反向电流明显变大，光的强度越大，反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。光敏二极管在一般照度的光线照射下，所产生的电流叫光电流。如果在外电路上接上负载，负载上就获得了电信号，而且这个电信号随着光的变化而相应变化。

　　由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基电源Eb重新补给，从而形成了基电流Ibo.根据电流连续性原理得:Ie=Ib+Ic，这就是说，在基补充一个很小的Ib，就可以在集电上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即:β1=Ic/Ib式中:β1--称为直流放大倍数，集电电流的变化量△Ic与基电流的变化量△Ib之比为:β=△Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。