黑龙江贴片光敏二极管ctr

　　半导体三管又称“晶体三管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电引线，分别叫基B、发射E和集电C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射e、基b和集电c。

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　　光敏二极管的特性有五个:光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性以及频率响应特性。光敏二极管和普通二极管相似，都对电流有放大的作用，不同的是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制，它还要受光辐射的控制。

　　场效应管的开关电路应用广泛，由于其为电压控制型，而且内阻小，常常应用在各种大电流开关控制电路中。例如，热敏微型打印机电源开关、外部电源输出开关等等。简单的说，一般小电流开关电路可以适用三管，大电流开关电路使用场效应管，这里就不在列举实例了。和三管一样，其开关并不是对的，虽然说，在一定的工作电压下，场效应管就处于开关状态。但它的开关状态并不是没有内阻，其内阻的变化一般都是跟随其外部电压的大小而变化。所以，为了减小其内阻，应尽量加大其开关电压值。具体多大合适一定要查询芯片资料。

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　　绕线电位器是将康铜丝或镍铬合金丝作为电阻体，并把它绕在缘骨架上制成。绕线电位器特点是接触电阻小，精度高，温度系数小，其缺点是分辨力差，阻值偏低，高频特性差。主要用作分压器、变阻器、仪器中调零和工作点等。金属膜电位器的电阻体可由合金膜、金属氧化膜、金属箔等分别组成。特点是分辩力高、耐高温、温度系数小、动噪声小、平滑性好。导电塑料电位器用将DAP（邻苯二甲酸二稀丙脂）电阻浆料覆在缘机体上，加热聚合成电阻膜，或将DAP电阻粉热塑压在缘基体的凹槽内形成的实心体作为电阻体。特点是:平滑性好、分辩力耐磨性好、寿命长、动噪声小、性高、耐化学腐蚀。用于宇宙装置、导弹、飞机雷达天线的伺服系统等。