新疆光耦ctr

　　电子元器件基础知识导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法:国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

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　　从放大电路到开关电路从发射放大电路演变掉开关电路的示意图如下:从图中可以看出，电路（a）去掉输入输出两个耦合电容后得到了电路（b），由于放大倍数是有Rc和Re两个电阻决定的，所以去掉Re后，得到了电路（c），同时，基偏置电路也没有什么必要，当输入信号为0V时三管处于截止状态，如图（d）。为了确保在没有信号输入时，三管处于截止状态，这里加上了下拉电阻R2。我们知道，如果在电路中输入信号超过0.6V时，三管的基和发射之间的二管将导通，开始为电路提高基电流，在这种状态下，由于没有限制电流的大小，可能会损害单片机端口和三管，为此还需要在基上添加一个限流电阻。至此一个开关电路就这样演变而来。

　　光敏二极管是电子电路中广泛采用的光敏器件。光敏二极管和普通二极管一样具有一个PN结，不同之处是在光敏二极管的外壳上有一个透明的窗口以接收光线照射，实现光电转换，在电路图中文字符号一般为VD。

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　　管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。反向特性二管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段）。不同材料的二管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。击穿特性当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III）。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。