广西长爬电距离光耦批发

　　低导通输出型(输出低电平毫伏)。光开关输出型(导通电阻小于10)。功率输出类型(IGBT/MOSFET等的输出。).按封装形式可分为同轴式、双列直插式、TO封装式、扁平封装式、芯片封装式和光纤传输式。等等。按传输信号可分为数字光电耦合器(OC门输出型、图腾柱输出型、三态门输出型等。)和线性光电耦合器(低漂移型、高线性度型、宽带型、单电源型、双电源型等。).按速度可分为低速光电耦合器(光电晶体管和光电池的输出型)和高速光电耦合器(光电二管带信号处理电路或光敏集成电路的输出型)。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的大工作电流已知的情况下，又确定了这样，由于Vo的范围小可以为0.考虑到大有利于能量的传输，这样，一般取另外，由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性，因此，考虑IPD1的限制，R2的确定可以根据所需要的放大倍数确定，例如如果不需要方法，只需将R2=R1即可。另外由于光耦会产生一些高频的噪声，通常在R2处并联电容，构成低通滤波器，具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。