济宁晶体管光耦代理

　　当拉长加热的光纤时，纤芯直径会减少，因为有（其中，2a＝d是光纤的纤芯直径，λ是工作波长，n和Δ分别是平均折射率和相对折射率），则V值变小。而V值越小，模场直径（MFD）超过光纤纤芯直径就越多。因此，纤芯直径减小使一个光模式的很多部分在包层中被耦合到其他光纤的纤芯中去了。随输入模式的模场直径在下行渐细区变得越来越大，耦合过程逐渐发生。在耦合区内，由于两个纤芯靠得常接近，则光模从一个纤芯耦合到另一个纤芯，在上行渐细区光纤直径增大，光模式越来越多地被限制在纤芯内，两个分离的模式从两根分开的光纤输出。

　　在这种模式下，LED会得到一个变化的信号脉冲。LED光线通过电压或信号样本来改变或控制，然后光电晶体管还为输出提供可变传导。用于开关模式电源(SMPS)或控制需要在输出端进行错误检测的不同电路。光电二管光电耦合器在电流和光之间的线性关系上优于光电晶体管光电耦合器。尽管光电晶体管光耦合器可以通过改变进入光电晶体管基的LED光束来传递宽频率的模拟音频信号。当光束到达其基时，晶体管的输出会发生变化以放大。但在高频处可能会出现一些失真。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。