肇庆高速光耦厂家排名

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

　　耦合器主要有如下优点:低的附加损耗。光从纤芯模式转换到耦合模式，然后再转换回纤芯模式在理论上是无损耗的。又因为光在耦合过程中从未离开光纤结构，所以它从未遇到界面，因此无回射。对于X型和Y型耦合器，附加损耗小于0.05dB。由于FBD耦合器是由常规光纤制作的，连接一个FBD耦合器到传输光纤是容易而且是低损耗的。方向性好，一般达到60dB，了传输光信号的定向性，减小了线路之间的串扰。良好的环境稳定性，光路结构简单紧凑，在-40～85℃温度范围内耦合器可以稳定工作。制作成本低，适合批量生产。描述光耦合器特性的一些技术参数插入损耗（InsertionLoss）式中，以ILi为第i个输出端口的插入损耗；Pouti为第i个输出端口的光功率；Pin为输入的光功率。附加损耗（ExcessLoss）对于光耦合器，附加损耗是体现器件制造工艺质量的，反映的是器件制作过程带来的附加固有损耗。插入损耗是各输出端口的状况，不仅与固有损耗有关，而且与分光比有很大的关系。插入损耗并不能反映器件制作质量，这一点值得注意。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　工作原理相当于一个内部基准为2.5V的电压误差放大器，所以在其1脚与3脚之间，要接补偿网络。常见的光耦反馈种接法，Vo为输出电压，Vd为芯片的供电电压。com信号接芯片的误差放大器输出脚，或者把PWM芯片(如UC3525)的内部电压误差放大器接成同相放大器形式，com信号则接到其对应的同相端引脚。注意左边的地为输出电压地，右边的地为芯片供电电压地，两者之间用光耦隔离。接法的工作原理如下:当输出电压升高时，TL431的1脚(相当于电压误差放大器的反向输入端)电压上升，3脚(相当于电压误差放大器的输出脚)电压下降，光耦TLP521的原边电流If增大，光耦的另一端输出电流Ic增大，电阻R4上的电压降增大，com引脚电压下降，占空比减小，输出电压减小;反之，当输出电压降低时，调节过程类似。开关电源中光耦的作用