亳州反射式光耦公司

　　输出饱和压降VCE(sat):发光二管工作电流IF和集电电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电与发射之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二管开路，集电至发射间的电压为规定值时，流过集电的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下，发光二管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

　　VD1为D1的正向压降。由于器件参数的离散性，近似等于0.005If,K3=I2/I1≈1,所以，R1.R2.R3尚需在估算值附近调整，力求获得佳线性度。调节后，佳线性度为220Ω。应用线性光耦合器组成的模拟信号隔离电路的线性度好，电路简单，有效地解决了模拟信号与单片机应用系统的电气隔离问题。若驱动级。缓冲级采用组合型运算放大器，可使线性度提高。可以广泛地应用在需要良好稳定性。线性度和带宽的模拟信号隔离场合。采用两片HCNR200可以工作在双性输入/双性输出模式；同时，还可以工作在交直流电路。变换器的隔离。热电偶的隔离。

　　光半导体由南方联合日本归国华侨杨振林博士团队合资成立，以南方为主要投资方、杨博士团队为技术核心的一家从事光电器件、光耦合器、光耦继电器等光电集成电路以及光电驱动等产品，研发团队涵盖设计、制造、销售和服务的高新技术企业，光半导体拥有的光电器件全自动生产线，具有年产8000万只光电光耦器件的生产能力。现阶段光半导体的光耦继电器、光耦合器等主要产品用于:蓄电系统．智能电表．自动检测设备．电信设备．测量仪器．医疗设备．通信设备．PC端．安防监控．O/A设备．PLC控制器．I/O控制板等，依托于光半导体综合的设计技术和芯片制造技术优势，光半导体期望在有广阔发展前景的光电控制领域深耕，逐步提升产品的技术附加值，扩充技术含量更高的产品线。

　　用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。