东营可控硅光耦供应商

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线是非线性的，当IF很小时，非线性失真严重，因此不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，是在信号较小时，交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF）接近直流电流传输比（CTR）。因此，它适用于传输模拟电压或电流信号，可以使输出与输入呈线性关系。这是它的重要特征。使用光耦合器的主要目的是在输入电路和输出电路之间提供隔离。在设计电路时，遵循以下原则:所选的光耦合器符合国内和隔离击穿电压标准。英国Isocoman公司和美国摩托罗拉生产的4N系列光耦合器（如4N25，4N26，4N35）在中国得到广泛应用。鉴于这种光耦合器的开关特性，其线性度较差，适用于传输数字信号（高电平和低电平），可用于单芯片的输出隔离。所使用的光耦合器器件具有高耦合系数。

　　按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v，空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘，其缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。

　　用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。