广州槽型光耦哪个品牌好

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线是非线性的，当IF很小时，非线性失真严重，因此不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，是在信号较小时，交流电流传输比（ΔCTR=ΔIC/ΔIF）接近直流电流传输比（CTR）。因此，它适用于传输模拟电压或电流信号，可以使输出与输入呈线性关系。这是它的重要特征。使用光耦合器的主要目的是在输入电路和输出电路之间提供隔离。在设计电路时，遵循以下原则:所选的光耦合器符合国内和隔离击穿电压标准。英国Isocoman公司和美国摩托罗拉生产的4N系列光耦合器（如4N25，4N26，4N35）在中国得到广泛应用。鉴于这种光耦合器的开关特性，其线性度较差，适用于传输数字信号（高电平和低电平），可用于单芯片的输出隔离。所使用的光耦合器器件具有高耦合系数。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。光开关输出型（导通电阻小余10Ω）。功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型等。可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。可分为低速光电耦合器（光敏三管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二管带信号处理电路或许光敏集成电路输出型）。