信阳长爬电距离光耦代理

　　低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。光开关输出型（导通电阻小余10Ω）。功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型等。可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。可分为低速光电耦合器（光敏三管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二管带信号处理电路或许光敏集成电路输出型）。

　　此外，在使用基于光电晶体管的光耦合器之前，知道晶体管的大额定值。是少数广泛使用的基于光电晶体管的光耦合器。光达林顿晶体管光耦合器有两种类型的符号，显示了基于光达林顿晶体管的光耦合器的内部结构。达林顿晶体管是两个晶体管对，其中一个晶体管控制另一个晶体管基。在这种配置中，达林顿晶体管提供高增益能力。像往常一样，LED发出红外LED并控制对晶体管的基。这种类型的光耦也用于直流电路相关领域的隔离。引脚在内部连接到晶体管的基，用于控制晶体管的灵敏度。是少数基于光达林顿的光耦合器示例。

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。

　　用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。