中山可控硅光耦厂家

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。

　　按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v，空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘，其缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。