常州可控硅光耦厂家排名

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。

　　当拉长加热的光纤时，纤芯直径会减少，因为有（其中，2a＝d是光纤的纤芯直径，λ是工作波长，n和Δ分别是平均折射率和相对折射率），则V值变小。而V值越小，模场直径（MFD）超过光纤纤芯直径就越多。因此，纤芯直径减小使一个光模式的很多部分在包层中被耦合到其他光纤的纤芯中去了。随输入模式的模场直径在下行渐细区变得越来越大，耦合过程逐渐发生。在耦合区内，由于两个纤芯靠得常接近，则光模从一个纤芯耦合到另一个纤芯，在上行渐细区光纤直径增大，光模式越来越多地被限制在纤芯内，两个分离的模式从两根分开的光纤输出。

　　光耦在电路中有很多奇葩的用法，但最主流的用法就是用来隔离信号。隔离数字信号和模拟信号。这两个要求大相径庭。数字信号往往要求低延时，Tpd要小。模拟信号除了带宽就是精确度的要求。但应用千差万别，各种不同的应用参数侧重点不同。