驻马店可控硅光耦公司

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。

　　几种光源的数值孔径与耦合效率的比较光源与光纤耦合简单的方法是直接耦合，即把光纤平端面直接对准光源发光面。这种方法虽然简单，但耦合效率很低。现以面发光LED与光纤的耦合为例，来说明这种耦合方式耦合效率及耦合效率与光源发散角和光纤数值孔径的关系。面发光LED的输出辐射光强符合朗伯分布，即沿θ角方向辐射强度满足式中，I0为光强沿θ＝0方向的辐射强度。在θ方向，Δθ对应的小立体角ΔΩ内，辐射功率为I0cosθΔΩ，而ΔΩ＝2πsinθΔθ，因此光源发射的总功率为

　　针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。光耦属于易失效器件，选型和使用过程中要特别的小心。目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。

　　由于光接收器只能接受光源的信息，反之不能，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端。由于发光器件（砷化镓红外二管）是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流电压信号。因此光电耦合器件的共模抑制比很大，所以，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。容易和逻辑电路配合。响应速度快。光电耦合器件的时间常数通常在微秒甚至毫微秒。无触点、寿命长、体积小、耐冲击。