淮阴可控硅光耦厂家批发

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　由于光接收器只能接受光源的信息，否则就不能接受，当信号从光源传输到光接收器时没有反馈现象，输出信号不会影响输入。由于发光器件（GaAs红外二管）是阻抗电流驱动器件，噪声是高内阻微电流电压信号，因此光耦合器的共模抑制比大。因此，光耦合器可以很好地抑制干扰并消除噪声。易于与逻辑电路匹配。响应速度快。光耦合器的时间常数通常在微秒甚至纳秒级。非接触式，寿命长，体积小，耐冲击。光耦合器的主要优点是信号单向传输，输入输出端实现电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。广泛应用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远端信号传输、脉冲放大、固态继电器、仪器仪表、通信设备、微机接口等。由于光耦合器的输入阻抗小于一般干扰源的输入阻抗，光耦合器输入端的干扰电压小，能提供的电流不大，不易使半导体二管发光。由于光耦合器的外壳是密封的，因此不受外部光的影响。光耦合器的隔离电阻大（约1012Ω），隔离电容小（约几pF），因此可以电路耦合引起的电磁干扰。线性光耦合器的工作原理是将控制电压添加到光耦合器的输入端。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。