海南长爬电距离光耦厂家

　　光电二管与光电晶体管光耦合器光晶体管光电耦合器基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。在上图中，内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以PNP，也可以是。根据输出引脚的可用性，光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中，有一个额外的引脚输出，在内部与晶体管的基相连。用于控制光电晶体管的灵敏度。该引脚通常用于使用高阻值电阻与地连接或负连接。在这种配置中，可以有效地控制由于噪声或电气瞬变引起的误触发。

　　电流传输比是光耦合器的一个重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持不变时，该比率等于直流输出电流IC和直流输入电流IF的百分比。大多数光耦合器使用光阻器，其CTR范围为20%至300%（例如4N35），PC817为80%至160%）。达林顿光耦合器（如4N30）可以达到100%~5000%。这表明，对于相同的输出电流，后者只需要更小的输入电流。因此，晶体管的hFE参数与CTR参数之间存在一些相似之处。得到线性光耦合器和普通光耦合器的典型CTR-IF特性曲线。

　　针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。光耦属于易失效器件，选型和使用过程中要特别的小心。目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。

　　按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v，空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘，其缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。