新疆达林顿光耦公司

　　另外一个参数是光耦的电流传输比是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三管的电流放大倍数，是光耦的一个为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。光耦电路中C-E饱和电压Vce(sat)，即光敏三管的集电-发射饱和压降。正向工作电压Vf(ForwardVoltage)，Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。线形光耦介绍，光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单，在数字隔离电路或数输电路中常常用到，如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号，光耦因为输入输出的线形较差，并且随温度变化较大，限制了其在模拟信号隔离的应用。

　　低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。光开关输出型（导通电阻小余10Ω）。功率输出型（IGBT/MOSFET等输出）。可分为同轴型，双列直插型，TO封装型，扁平封装型，贴片封装型，以及光纤传输型等。可分为数字型光电耦合器（OC门输出型，图腾柱输出型及三态门电路输出型等）和线性光电耦合器（可分为低漂移型，高线性型，宽带型，单电源型，双电源型等）。可分为低速光电耦合器（光敏三管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二管带信号处理电路或许光敏集成电路输出型）。

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。

　　光耦在电路中有很多奇葩的用法，但最主流的用法就是用来隔离信号。隔离数字信号和模拟信号。这两个要求大相径庭。数字信号往往要求低延时，Tpd要小。模拟信号除了带宽就是精确度的要求。但应用千差万别，各种不同的应用参数侧重点不同。