莆田可控硅光耦哪个品牌好

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。

　　光纤的分光与合光耦合器光纤的分光与合光耦合器是指把光信号在光纤上由一路向两路或多路传送，或把N路光信号合路再向M路或N路分配的装置，是光纤与光纤的耦合，属于光无源器件，在电信网路、有线电视网路、用户回路系统、区域网路中均得到广泛的应用。光纤耦合器可分标准耦合器（双分支，单位1×2，亦即将光信号分成两个功率）、星状／树状耦合器以及WDM耦合器。从制作方式来分，主要有熔接双锥渐细（FBT）耦合器（以后简称FBT耦合器）、微光学式（MicroOptics）耦合器、光式（WaveGuide）耦合器等。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　光电压模式下的电流检测电路设计工作在光电压模式下的检测电流电路如图3所示，信号为正性输入，正性输出。R1.R2.R3.C1的作用与在光电导模式下的作用基本相同。放大器A1调节电流If。当输入电压Vin增加时，I1增加，同时放大器A1“＋”输入端电压增加，促使电流If增加。由于D1与D2之间的联系，I1就会把“＋”输入端电压重新拉回0V,形成负反溃如果放大器A1的输入电流很小，那么流经R1的电流就为Vin/R1=I1。显而易见，I1与Vin之间是线性比例关系。I1稳定线性变化，If也稳定线性变化。