天门可控硅光耦厂家批发

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

　　输出饱和压降VCE(sat):发光二管工作电流IF和集电电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电与发射之间的电压降。反向截止电流ICEO:发光二管开路，集电至发射间的电压为规定值时，流过集电的电流为反向截止电流。电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二管正向电流之比为电流传输比CTR。脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下，发光二管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

　　光耦合器的性能特点 光耦合器的主要优点是体积小，无触点且输入与输出在电气上完全隔离，抗干扰能力强，单向传输信号且传输效率高，工作温度范围宽，使用寿命长。光耦合器广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离 、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR)、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

　　高一般光耦的开关速度。因为光耦本身存在的分布电容，对传输速度形成影响，光敏三管内部存在着分布电容Cbe和Cce。因为光耦的电流传输比较低，其集电负载电阻不能太小，不然输出电压的摆幅就受到了约束。可是，负载电阻又不宜过大，负载电阻RL越大，因为分布电容的存在，光电耦合器的频率特性就越差，传输延时也越长。用2只光电耦合器T1，T2接成互补推挽式电路，能够进步光耦的开关速度。当脉冲上升为“1”电平常，T1截止，T2导通。相反，当脉冲为“0”电平常，T1导通，T2截止。这种互补推挽式电路的频率特性大大优于单个光电耦合器的频率特性。