六安可控硅光耦供应商

　　当LED发出光并且光照射到光电传感器（光电二管、光电晶体管、PhotoTriac）上时，光电传感器开始流动电流。在这个系统中，输入光与输出端的电流成正比。光耦合器工作原理当给LED供电时，LED发光，光线落在光电晶体管的基上，光落在光电晶体管的基上后，将被，并且可以控制与晶体管相连的输出电路。这里输入电路只连接光耦的LED引脚，输出电路连接光电晶体管，输入和输出电路电气隔离。光耦合器工作原理动图光耦合器的工作模式在饱和模式下，LED将打开或关闭，因此，输出晶体管关闭或打开，这意味着导通或非导通模式。此模式用于需要保护微控制器引脚免受输出电路高压影响的地方。例如，在使用微控制器的电机驱动中，电机需要高电流和高电压。在此模式下，电机将开启或关闭。在这种模式下，LED会得到一个变化的信号脉冲。LED光线通过电压或信号样本来改变或控制，然后光电晶体管还为输出提供可变传导。

　　开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

　　根据输出形式分类光敏器件输出，包括光电二管、光阻器、光电池、光学晶闸管等。NPN三管输出，包括交流输入、直流输入、互补输出等。达林顿三管输出，包括交流输入、直流输入。逻辑门输出，包括栅输出、施密特触发输出、三态栅输出等。低导通输出（低电平输出）光开关输出（Ron<10Ω）功率输出（IGBT/MOSFET光耦继电器内部结构光电耦合的主要特点如下:输入输出端子之间的缘电阻一般大于10000MΩ，电压电阻一般可以超过1kV，有的甚至可以达到10kV。

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。