许昌高速光耦厂家排名

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。

　　几种制作方式的耦合器这些结构的耦合器不是没有缺点的。FBT耦合器和微光学式耦合器很难达到高端口数，制造波导耦合器则需要很大的投资，成本较高。一般来说，FBT耦合器适合低价、低端口数的应用；光波导式耦合器在有16或更多端口的网络中工作好；微光学式耦合器适用于高性能通信网络。但涉及集成到光纤网络能力时，FBT耦合器好。耦合器的工作原理耦合器是利用熔融拉锥法制成的光纤耦合器，将一根或两根（或以上）的除去涂覆层的光纤以一定方式靠拢，在高温下熔融，同时向两侧拉伸，在熔接区形成双锥形式的波导结构，实现传输光功率的耦合。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。

　　关于沟通负载，能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划，例如TLP541G，4N39。光电可控硅驱动器，特是耐压高，驱动电流不大，当沟通负载电流较小时，能够直接用它来驱动。当负载电流较大时，能够外接功率双向可控硅。其间，R1为限流电阻，用于约束光电可控硅的电流；R2为耦合电阻，其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时，能够选用光电双向可控硅驱动器，例如MOC3010。