新余可控硅光耦公司

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。

　　就抗搅扰规划而言，许多场合下，既能选用光电耦合器阻隔驱动，也能选用继电器阻隔驱动。一般情况下，关于那些呼应速度要求不很高的启停操作，咱们选用继电器阻隔来规划功率接口；关于呼应时刻要求很快的操控体系，选用光电耦合器进行功率接口电路规划。这是因为继电器的呼应延迟时刻需几十ms，而光电耦合器的延迟时刻一般都在10us之内，一起选用新式、集成度高、运用方便的光电耦合器进行功率驱动接口电路规划，能够到达简化电路规划，下降散热的意图。

　　针对光偶选型，替代，采购，检测及实际使用过程中出现的光偶特性变化引起的产品失效问题，提供指导。光耦属于易失效器件，选型和使用过程中要特别的小心。目前发现，因光偶的选型，光偶替代，光偶工作电流，工作温度设计不当等原因导致产品出现问题，如何减少选型，设计，替代导致的产品问题，这里将制订出相关指导性规范。

　　通过R3两端的电流为IF，根据欧姆定律得:其中,为光耦2脚的电压，考虑到LED导通时的电压（）基本不变，这里的作为常数对待。根据光耦的特性，即K1=IP1/IF(4)将和的表达式代入上式，可得:上式经变形可得到:将的表达式代入（3）式可得:考虑到G大，则可以做以下近似:这样，输出与输入电压的关系如下:可见，在上述电路中，输出和输入成正比，并且比例系数只由K3和R1、R2确定。一般选R1=R2，达到只隔离不放大的目的。