济源可控硅光耦哪个品牌好

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

　　开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

　　根本作业特性（以光敏三管为例）共模按捺比很高在光电耦合器内部，因为发光管和受光器之间的耦合电容很小（2pF以内）所以共模输入电压经过间耦合电容对输出电流的影响很小，因此共模按捺比很高。光电耦合器的输出特性是指在必定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的联系，当IF=0时，发光二管不发光，此刻的光敏晶体管集电输出电流称为暗电流，一般很小。当IF>0时，在必定的IF效果下，所对应的IC根本上与VCE无关。IC与IF之间的改变成线性联系，用半导体管特性图示仪测出的光电耦合器的输出特性与一般晶体三管输出特性类似。其测验连线如图2，图中D、C、E三根线别离对应B、C、E，接在仪器插座上。

　　光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单，在数字隔离电路或数输电路中常常用到，如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号，光耦因为输入输出的线形较差，并且随温度变化较大，限制了其在模拟信号隔离的应用。对于高频交流模拟信号，变压器隔离是常见的选择，但对于支流信号却不适用。一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案，如ADI的AD202，能够提供从直流到几K的频率内提供0.025%的线性度，但这种隔离器件内部行电压-频率转换，对产生的交流信号进行变压器隔离，然后进行频率-电压转换得到隔离效果。集成的隔离放大器内部电路复杂，体积大，成本高，不适合大规模应用。