中山达林顿光耦厂家电话

　　此外，在使用基于光电晶体管的光耦合器之前，知道晶体管的大额定值。是少数广泛使用的基于光电晶体管的光耦合器。光达林顿晶体管光耦合器有两种类型的符号，显示了基于光达林顿晶体管的光耦合器的内部结构。达林顿晶体管是两个晶体管对，其中一个晶体管控制另一个晶体管基。在这种配置中，达林顿晶体管提供高增益能力。像往常一样，LED发出红外LED并控制对晶体管的基。这种类型的光耦也用于直流电路相关领域的隔离。引脚在内部连接到晶体管的基，用于控制晶体管的灵敏度。是少数基于光达林顿的光耦合器示例。

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　通过R3两端的电流为IF，根据欧姆定律得:其中,为光耦2脚的电压，考虑到LED导通时的电压（）基本不变，这里的作为常数对待。根据光耦的特性，即K1=IP1/IF(4)将和的表达式代入上式，可得:上式经变形可得到:将的表达式代入（3）式可得:考虑到G大，则可以做以下近似:这样，输出与输入电压的关系如下:可见，在上述电路中，输出和输入成正比，并且比例系数只由K3和R1、R2确定。一般选R1=R2，达到只隔离不放大的目的。