宣城可控硅光耦公司

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。

　　低导通输出型(输出低电平毫伏)。光开关输出型(导通电阻小于10)。功率输出类型(IGBT/MOSFET等的输出。).按封装形式可分为同轴式、双列直插式、TO封装式、扁平封装式、芯片封装式和光纤传输式。等等。按传输信号可分为数字光电耦合器(OC门输出型、图腾柱输出型、三态门输出型等。)和线性光电耦合器(低漂移型、高线性度型、宽带型、单电源型、双电源型等。).按速度可分为低速光电耦合器(光电晶体管和光电池的输出型)和高速光电耦合器(光电二管带信号处理电路或光敏集成电路的输出型)。

　　另外一个参数是光耦的电流传输比是指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。光耦的CTR类似于三管的电流放大倍数，是光耦的一个为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三管工作状态计算方法类似。若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。光耦电路中C-E饱和电压Vce(sat)，即光敏三管的集电-发射饱和压降。正向工作电压Vf(ForwardVoltage)，Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=10mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。线形光耦介绍，光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光耦电路简单，在数字隔离电路或数输电路中常常用到，如UART协议的20mA电流环。对于模拟信号，光耦因为输入输出的线形较差，并且随温度变化较大，限制了其在模拟信号隔离的应用。

　　用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。