安阳光耦价格

　　光电压模式下的电流检测电路设计工作在光电压模式下的检测电流电路如图3所示，信号为正性输入，正性输出。R1.R2.R3.C1的作用与在光电导模式下的作用基本相同。放大器A1调节电流If。当输入电压Vin增加时，I1增加，同时放大器A1“＋”输入端电压增加，促使电流If增加。由于D1与D2之间的联系，I1就会把“＋”输入端电压重新拉回0V,形成负反溃如果放大器A1的输入电流很小，那么流经R1的电流就为Vin/R1=I1。显而易见，I1与Vin之间是线性比例关系。I1稳定线性变化，If也稳定线性变化。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v，空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘，其缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。