新密长爬电距离光耦厂家

　　高一般光耦的开关速度。因为光耦本身存在的分布电容，对传输速度形成影响，光敏三管内部存在着分布电容Cbe和Cce。因为光耦的电流传输比较低，其集电负载电阻不能太小，不然输出电压的摆幅就受到了约束。可是，负载电阻又不宜过大，负载电阻RL越大，因为分布电容的存在，光电耦合器的频率特性就越差，传输延时也越长。用2只光电耦合器T1，T2接成互补推挽式电路，能够进步光耦的开关速度。当脉冲上升为“1”电平常，T1截止，T2导通。相反，当脉冲为“0”电平常，T1导通，T2截止。这种互补推挽式电路的频率特性大大优于单个光电耦合器的频率特性。

　　电流传输比是光耦合器的一个重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持不变时，该比率等于直流输出电流IC和直流输入电流IF的百分比。大多数光耦合器使用光阻器，其CTR范围为20%至300%（例如4N35），PC817为80%至160%）。达林顿光耦合器（如4N30）可以达到100%~5000%。这表明，对于相同的输出电流，后者只需要更小的输入电流。因此，晶体管的hFE参数与CTR参数之间存在一些相似之处。得到线性光耦合器和普通光耦合器的典型CTR-IF特性曲线。

　　光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。