宜春槽型光耦厂家电话

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　这种类型的光耦也用于直流电路相关领域的隔离。第6个引脚在内部连接到晶体管的基，用于控制晶体管的灵敏度。是少数基于光达林顿的光耦合器示例。基于光三端双向晶闸管的光耦合器光管三端双向晶闸主要用于需要基于AC的控制或开关的场合。LED可以使用DC控制，三端双向晶闸用于控制AC。在这种情况下，光耦合器也提供了出的隔离。这是一个双向可控硅应用程序。基于光三端双向晶闸的光耦合器示例是IL420、4N35等。

　　光电耦合器分为两种:一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。常用的4N系列光耦属于非线性光耦。线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。常用的线性光耦是PC817A—C系列。

　　关于沟通负载，能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划，例如TLP541G，4N39。光电可控硅驱动器，特是耐压高，驱动电流不大，当沟通负载电流较小时，能够直接用它来驱动。当负载电流较大时，能够外接功率双向可控硅。其间，R1为限流电阻，用于约束光电可控硅的电流；R2为耦合电阻，其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时，能够选用光电双向可控硅驱动器，例如MOC3010。