南京反射式光耦哪个品牌好

　　在这种模式下，LED会得到一个变化的信号脉冲。LED光线通过电压或信号样本来改变或控制，然后光电晶体管还为输出提供可变传导。用于开关模式电源(SMPS)或控制需要在输出端进行错误检测的不同电路。光电二管光电耦合器在电流和光之间的线性关系上优于光电晶体管光电耦合器。尽管光电晶体管光耦合器可以通过改变进入光电晶体管基的LED光束来传递宽频率的模拟音频信号。当光束到达其基时，晶体管的输出会发生变化以放大。但在高频处可能会出现一些失真。

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　光耦合器的技术参数主要有发光二管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的缘电阻、集电-发射反向击穿电压V(BR)CEO、集电-发射饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。采用一只光敏三管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线。