淮南槽型光耦厂家

　　当拉长加热的光纤时，纤芯直径会减少，因为有（其中，2a＝d是光纤的纤芯直径，λ是工作波长，n和Δ分别是平均折射率和相对折射率），则V值变小。而V值越小，模场直径（MFD）超过光纤纤芯直径就越多。因此，纤芯直径减小使一个光模式的很多部分在包层中被耦合到其他光纤的纤芯中去了。随输入模式的模场直径在下行渐细区变得越来越大，耦合过程逐渐发生。在耦合区内，由于两个纤芯靠得常接近，则光模从一个纤芯耦合到另一个纤芯，在上行渐细区光纤直径增大，光模式越来越多地被限制在纤芯内，两个分离的模式从两根分开的光纤输出。

　　就抗搅扰规划而言，许多场合下，既能选用光电耦合器阻隔驱动，也能选用继电器阻隔驱动。一般情况下，关于那些呼应速度要求不很高的启停操作，咱们选用继电器阻隔来规划功率接口；关于呼应时刻要求很快的操控体系，选用光电耦合器进行功率接口电路规划。这是因为继电器的呼应延迟时刻需几十ms，而光电耦合器的延迟时刻一般都在10us之内，一起选用新式、集成度高、运用方便的光电耦合器进行功率驱动接口电路规划，能够到达简化电路规划，下降散热的意图。

　　按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v，空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘，其缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。

　　用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。