潜江可控硅光耦厂家排名

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

　　按通道可分为单通道、双通道和多通道光电耦合器。按隔离特性可分为普通隔离光电耦合器(一般光胶小于5000v，空封小于2000v)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV、20kV、30kV等。).按工作电压分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般30V以上)。光电耦合的主要特征如下:出端之间缘，其缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。

　　光纤从光源接收的大功率为则面发光LED与光纤的耦合效率为即耦合效率为数值孔径的平方。设数值孔径取NA＝0.13，则耦合效率只有η≈2%，的低。对于边发光LED和LD，它们的发散角比面发光LED要小，设其垂直和平行与结平面的发散角分别为θ⊥和θ∥，则它们与光线的直接耦合效率可按（式5.6）估算设条形LD的θ⊥＝45°，θ∥＝8°，NA＝0.15，则计算出耦合效率η≈14%。可见，即使是发散角比较小的LD，其耦合效率也只有大约14%。光源发出的80%以上的功率都损耗掉了。