荆州晶体管光耦厂家

　　光纤从光源接收的大功率为则面发光LED与光纤的耦合效率为即耦合效率为数值孔径的平方。设数值孔径取NA＝0.13，则耦合效率只有η≈2%，的低。对于边发光LED和LD，它们的发散角比面发光LED要小，设其垂直和平行与结平面的发散角分别为θ⊥和θ∥，则它们与光线的直接耦合效率可按（式5.6）估算设条形LD的θ⊥＝45°，θ∥＝8°，NA＝0.15，则计算出耦合效率η≈14%。可见，即使是发散角比较小的LD，其耦合效率也只有大约14%。光源发出的80%以上的功率都损耗掉了。

　　开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

　　在这种配置中，光耦合器可以跨低压电路连接，例如需要交流电压检测的微控制器单元，输出将产生方形高到低脉冲。使用直流电压控制交流电路的光耦合器:使用直流电压控制交流电路的光耦合器在上面电路中，LED再次由9V电池通过10k电阻和开关的状态来控制。另一方面，使用基于光电TRIAC的光耦合器，从220V交流插座控制交流灯。68R电阻用于控制BT136TRIAC，由光耦单元内部的光电TRIAC控制。

　　在原理图中，使用了基于低成本光电晶体管的光电耦合器PC817。红外线LED将由S1开关控制。当开关打开时，9V电池电源将通过限流电阻10k为LED提供电流。强度由R1电阻控制。如果我们改变值并降低电阻，LED的强度会很高，使晶体管增益很高。另一方面，晶体管是由内部红外LED控制的光电晶体管，当LED发出红外光时，光电晶体管将接触，VOUT将为0，关闭连接在其上的负载。根据数据表，晶体管的集电电流为50mA，R2提供VOUT5v，R2是一个上拉电阻。