随州达林顿光耦代理

　　光电二管与光电晶体管光耦合器光晶体管光电耦合器基于晶体管的光耦合器用于直流电路相关的隔离。在上图中，内部结构显示在光电晶体管光电耦合器内部。晶体管类型可以PNP，也可以是。根据输出引脚的可用性，光电晶体管可以进一步分为两种类型。在左边的第二张图片中，有一个额外的引脚输出，在内部与晶体管的基相连。用于控制光电晶体管的灵敏度。该引脚通常用于使用高阻值电阻与地连接或负连接。在这种配置中，可以有效地控制由于噪声或电气瞬变引起的误触发。

　　光电导模式下的电流检测电路设计工作在光电导模式下的检测电流电路如图2所示，信号为正性输入，正性输出。隔离电路中，R1调节初级运算放大器的输入偏置电流的大小，C1起反馈作用，同时滤除了电路中的毛刺信号，避免HCNR200中的铝砷化镓发光二管(LED)受到意外的冲击。但是，随着频率的提高，阻抗将变小，HCNR200的初级电流增大，增益随之变大，因而，C1的引入对通道在高频时的增益有一定影响，虽然减小C1的值可以拓展带宽，但是，会影响初级运算放大器的增益，同时，初级运算放大器输出的较大毛刺信号不易被滤除。R3可以控制LED的发光强度，对控制通道增益起一定作用。

　　普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比很接近于直流电流传输比CTR值。因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。这是其重要特性。

　　电阻的选型需要考虑运放的线性范围和线性光耦的大工作电流已知的情况下，又确定了这样，由于Vo的范围小可以为0.考虑到大有利于能量的传输，这样，一般取另外，由于工作在深度负反馈状态的运放满足虚短特性，因此，考虑IPD1的限制，R2的确定可以根据所需要的放大倍数确定，例如如果不需要方法，只需将R2=R1即可。另外由于光耦会产生一些高频的噪声，通常在R2处并联电容，构成低通滤波器，具体电容的值由输入频率以及噪声频率确定。