山西继电器光耦代理

　　使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，遵循下列原则:所选用的光电耦合器件符合国内和的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25、4N26、4N35）光耦合器，在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件具有较高的耦合系数。

　　低导通输出型(输出低电平毫伏)。光开关输出型(导通电阻小于10)。功率输出类型(IGBT/MOSFET等的输出。).按封装形式可分为同轴式、双列直插式、TO封装式、扁平封装式、芯片封装式和光纤传输式。等等。按传输信号可分为数字光电耦合器(OC门输出型、图腾柱输出型、三态门输出型等。)和线性光电耦合器(低漂移型、高线性度型、宽带型、单电源型、双电源型等。).按速度可分为低速光电耦合器(光电晶体管和光电池的输出型)和高速光电耦合器(光电二管带信号处理电路或光敏集成电路的输出型)。

　　由于光电耦合器的输入阻抗与一般干扰源的阻抗相比较小，因此分压在光电耦合器的输入端的干扰电压较小，它所能提供的电流并不大，不易使半导体二极管发光；由于光电耦合器的外壳是密封的，它不受外部光的影响；光电耦合器的隔离电阻很大（约1012Ω）、隔离电容很小（约几个pF）所以能阻止电路性耦合产生的电磁干扰。

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。