南昌达林顿光耦生产厂家

　　低导通输出型(输出低电平毫伏)。光开关输出型(导通电阻小于10)。功率输出类型(IGBT/MOSFET等的输出。).按封装形式可分为同轴式、双列直插式、TO封装式、扁平封装式、芯片封装式和光纤传输式。等等。按传输信号可分为数字光电耦合器(OC门输出型、图腾柱输出型、三态门输出型等。)和线性光电耦合器(低漂移型、高线性度型、宽带型、单电源型、双电源型等。).按速度可分为低速光电耦合器(光电晶体管和光电池的输出型)和高速光电耦合器(光电二管带信号处理电路或光敏集成电路的输出型)。

　　开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

　　辅助电路与参数确定上面的推导都是假定电路都是工作在线性范围内的，要想做到这一点需要对运放进行合理选型，并且确定电阻的阻值。运放可以是单电源供电或正负电源供电，上面给出的是单电源供电的例子。为了能使输入范围能够从0到VCC，需要运放能够满摆幅工作，另外，运放的工作速度、压摆率不会影响整个电路的性能。TI公司的LMV321单运放电路能够满足以上要求，可以作为HCNR200/201的外围电路。

　　正向压降VF:二管通过的正向电流为规定值时，正负之间所产生的电压降。正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二管中流过的电流。反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二管中流过的电流。反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两间所产生的电压降。结电容CJ:在规定偏压下，被测管两端的电容值。反向击穿电压V(BR)CEO:发光二管开路，集电电流IC为规定值，集电与发射集间的电压降。