山东可控硅光耦厂家电话

　　入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间缘耐压值。集-发击穿电压（BR）CEO-55～150-55～125A=25℃±3℃)VIO=500VCC=5V，IFP=10mA，RL=360Ωf=10kHz，D:1/2VCC=5V，IF=10mA，RL=200Ω集-发饱和电压VCE（sat）VCC=5V，IF=10mA，RL=4.7kΩ集-发截止电流CE=5V，IF=0“潮光光耦网”专注品牌光电耦合器。国内首家专注光电耦合器的平台。光耦电路即光电耦合器一般由三部分组成，光的发射、光的接收及信号放大。输入的电信号驱动发光二管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。在光耦电路设计中，有两个参数需要格外注意，一个是反向电压Vr，是指原边发光二管所能承受的大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。而一般光耦中，这个参数只有5V左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要注意不要超过反向电压。

　　光耦合器的主要优点是单向传输信号，输入端与输出端完全实现了电气隔离，抗干扰能力强，使用寿命长，传输效率高。它广泛用于电平转换、信号隔离、级间隔离、开关电路、远距离信号传输、脉冲放大、固态继电器(SSR）、仪器仪表、通信设备及微机接口中。

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。

　　耦合器主要有如下优点:低的附加损耗。光从纤芯模式转换到耦合模式，然后再转换回纤芯模式在理论上是无损耗的。又因为光在耦合过程中从未离开光纤结构，所以它从未遇到界面，因此无回射。对于X型和Y型耦合器，附加损耗小于0.05dB。由于FBD耦合器是由常规光纤制作的，连接一个FBD耦合器到传输光纤是容易而且是低损耗的。方向性好，一般达到60dB，了传输光信号的定向性，减小了线路之间的串扰。良好的环境稳定性，光路结构简单紧凑，在-40～85℃温度范围内耦合器可以稳定工作。制作成本低，适合批量生产。描述光耦合器特性的一些技术参数插入损耗（InsertionLoss）式中，以ILi为第i个输出端口的插入损耗；Pouti为第i个输出端口的光功率；Pin为输入的光功率。附加损耗（ExcessLoss）对于光耦合器，附加损耗是体现器件制造工艺质量的，反映的是器件制作过程带来的附加固有损耗。插入损耗是各输出端口的状况，不仅与固有损耗有关，而且与分光比有很大的关系。插入损耗并不能反映器件制作质量，这一点值得注意。