蚌埠晶体管光耦厂家电话

　　假设确定Vcc=5V，输入在0-4V之间，输出等于输入，采用LMV321运放芯片以及上面电路，下面给出参数确定的过程。确定IFmax:HCNR200/201的手册上推荐器件工作的25mA左右；确定R3:R3=5V/25mA=200；确定R2:R2=R1=32K。线性光耦在电流采样中的应用在现代电气测量和控制中，常常需要用低压器件去测量。控制高电压。强电流等模拟量，如果模拟量与数字量之间没有电气隔离，那么，高电压。强电流很容易串入低压器件，并将其烧毁。线性光耦HCNR200可以较好地实现模拟量与数字量之间的隔离，隔离电压峰值达8000V;输出跟随输入变化，线性度达0.01％。

　　开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。

　　低导通输出型(输出低电平毫伏)。光开关输出型(导通电阻小于10)。功率输出类型(IGBT/MOSFET等的输出。).按封装形式可分为同轴式、双列直插式、TO封装式、扁平封装式、芯片封装式和光纤传输式。等等。按传输信号可分为数字光电耦合器(OC门输出型、图腾柱输出型、三态门输出型等。)和线性光电耦合器(低漂移型、高线性度型、宽带型、单电源型、双电源型等。).按速度可分为低速光电耦合器(光电晶体管和光电池的输出型)和高速光电耦合器(光电二管带信号处理电路或光敏集成电路的输出型)。

　　关于沟通负载，能够选用光电可控硅驱动器进行阻隔驱动规划，例如TLP541G，4N39。光电可控硅驱动器，特是耐压高，驱动电流不大，当沟通负载电流较小时，能够直接用它来驱动。当负载电流较大时，能够外接功率双向可控硅。其间，R1为限流电阻，用于约束光电可控硅的电流；R2为耦合电阻，其上的分压用于触发功率双向可控硅。当需求对输出功率进行操控时，能够选用光电双向可控硅驱动器，例如MOC3010。