详细说明
SOP-8晶体管光耦EL827S1(TA)使用额定最大范围
| 项目 | 符号 | 最大范围 | 单位 |
| 输入端 | 顺向电流 | IF | 50 | mA |
| 峰值电流（1us脉冲） | IFP | 1.0 | A |
| 功率消耗 | Pd | 70 | mW |
| 输出端 | 功率消耗 | Pc | 150 | mW |
| 集电极电流 | Ic | 80 | mA |
| 集电极-发射极电压 | Vceo | 80 | V |
| 发射极-集电极电压 | Veco | 7 | V |
| 总的功率消耗 | Ptot | 200 | mW |
| 隔离电压 | Viso | 5000 | V |
| 工作温度 | Topr | -55~110 | ℃ |
| 储存温度 | Tstg | -55~125 | ℃ |
| 焊锡温度 | Tsol | 260 | ℃ |
SOP-8晶体管光耦EL827S1(TA)输入端特性
| 项目 | 符号 | 最小值 | 平均值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
| 顺向电压 | VF | --- | 1.20 | 1.40 | V | IF=20mA |
| 反向电流 | IR | --- | -- | 10 | uA | VR=4V |
| 输入端电容 | Cin | --- | 30 | 250 | pF | V = 0, f = 1kHz |
SOP-8晶体管光耦EL827S1(TA)输入端特性
| 项目 | 符号 | 最小值 | 平均值 | 最大值 | 单位 | 条件 |
| 集电极与发射极暗电流 | Iceo | --- | --- | 100 | nA | VCE= 20V, IF = 0mA |
| 集电极-发射极击穿电压 | BVceo | 80 | -- | --- | V | IC = 0.1mA |
| 发射极-集电极击穿电压 | BVeco | 7 | --- | --- | V | IE = 0.1mA |
SOP-8晶体管光耦EL827S1(TA)基本的转换特性
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最小值